جلد 19، شماره 10 - ( 6-1387 )                   جلد 19 شماره 10 صفحات 20-11 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print

Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Orouji A. A COMPREHENSIVE STUDY OF SHORT CHANNEL EFFECTS IMPROVEMENT TECHNIQUES IN SOI-MOSFET AND A NOVEL APPROACH. Journal title 2008; 19 (10) :11-20
URL: http://ijiepm.iust.ac.ir/article-1-342-fa.html
آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید. عنوان نشریه. 1387; 19 (10) :11-20

URL: http://ijiepm.iust.ac.ir/article-1-342-fa.html

آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید
چکیده:   (9439 مشاهده)

در این مقاله روشهای نوین کاهش اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای اثر میدان مورد آنالیز و تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. هم چنین برای اولین بار  یک ساختار جدید با نام ترانزیستور "چند گیتی با کانال محافظ" معرفی و طراحی شده است. نتایج شبیه سازیهای دو بعدی نشان می دهند که این ساختار به خوبی می تواند اثر میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ درین را کاهش دهد. هم چنین تغییرات سد پتانسیل تا ولتاژ 5/1 ولت، تقریبا صفر است. ضمنا این ترانزیستور مشکلاتی از قبیل سخت بودن پروسه ساخت و نیاز به منبع تغذیه اضافی را که در ساختارهای مشابه با آن وجود دارند را ندارد.

واژه‌های کلیدی: ترانزیستور اثر میدان٬ سیلیسیم روی عایق٬ اثرات کوچک سازی کانال٬ سد پتانسیل ناشی از ولتاژ درین
     
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: سایر موضوعاتی که به مرزهای دانش در مهندسی صنایع و تولید کمک می کند
دریافت: 1389/6/17 | انتشار: 1387/5/25
ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه بین المللی مهندسی صنایع و مدیریت تولید می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق