جلد 19، شماره 10 - ( 6-1387 )                   جلد 19 شماره 10 صفحات 11-20 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Orouji A. A COMPREHENSIVE STUDY OF SHORT CHANNEL EFFECTS IMPROVEMENT TECHNIQUES IN SOI-MOSFET AND A NOVEL APPROACH. IJIEPM. 2008; 19 (10) :11-20
URL: http://ijiepm.iust.ac.ir/article-1-342-fa.html
آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید. نشریه بین المللی مهندسی صنایع و مدیریت تولید. 1387; 19 (10) :11-20

URL: http://ijiepm.iust.ac.ir/article-1-342-fa.html


چکیده:   (5899 مشاهده)

در این مقاله روشهای نوین کاهش اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای اثر میدان مورد آنالیز و تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. هم چنین برای اولین بار  یک ساختار جدید با نام ترانزیستور "چند گیتی با کانال محافظ" معرفی و طراحی شده است. نتایج شبیه سازیهای دو بعدی نشان می دهند که این ساختار به خوبی می تواند اثر میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ درین را کاهش دهد. هم چنین تغییرات سد پتانسیل تا ولتاژ 5/1 ولت، تقریبا صفر است. ضمنا این ترانزیستور مشکلاتی از قبیل سخت بودن پروسه ساخت و نیاز به منبع تغذیه اضافی را که در ساختارهای مشابه با آن وجود دارند را ندارد.

     

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه بین المللی مهندسی صنایع و مدیریت تولید می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2018 All Rights Reserved | International Journal of Industrial Engineering & Production Management

Designed & Developed by : Yektaweb